疆珑关注SK海力士第二代DDR5 A-Die：原生7200 MT/s助力下一代计算
近日，一款新型SK海力士DDR5内存芯片在网络上曝光，疑似为第二代3Gb A-Die颗粒，原生JEDEC速度高达7200 MT/s。这一发现由十铨（Team Group）的Kevin Wu在Facebook群组“Clock‘EM UP”分享的图片中展示。
芯片标有“X021”标记和“AKBD”部件代码。根据SK海力士命名规则，字母组合如EB、GB和HB分别对应4800、5600和6400 MT/s的JEDEC速度，因此新的“KB”指定很可能延续这一模式，指向7200 MT/s速度。
01 新品揭秘：X021标记与AKBD代码
这款新出现的SK海力士DDR5内存芯片引起了行业广泛关注，疆珑半导体技术团队也正在深入研究其技术特性。
芯片表面的“X021”标记尤其引人注目，根据@unikoshardware的分析，这一标签表明它是第二代3Gb A-Die芯片。
它将取代早期DDR5模块中使用的3Gb M-Die变体
在SK海力士的产品命名规则中，部件代码“AKBD”中的“KB”指定具有特殊意义。
遵循从“EB”（4800 MT/s）到“HB”（6400 MT/s）的进展模式，“KB”极有可能对应7200 MT/s的JEDEC速度，这也是DDR5技术发展的下一个里程碑。
02 平台兼容：与英特尔未来路线图同步
疆珑分析师认为，这一技术进展与英特尔平台路线图高度吻合。
英特尔未来的Arrow Lake Refresh和Pantier Lake CPU预计将支持7200 MT/s的DDR5速度。
这将是一个显著的性能提升，相比Raptor Lake的DDR5-5600和Arrow Lake的DDR5-6400标准有大幅进步。
新一代A-Die芯片很可能成为英特尔处理器的下一代高频内存套件的基础。
疆珑科技注意到，内存制造商正在为即将到来的处理器升级做准备，这也将带动整个产业链的技术革新。
03 潜在限制：8层PCB成性能瓶颈
虽然芯片本身令人印象深刻，但泄露的样品使用的是8层PCB，这可能会限制在高内存频率下的稳定性。
即使采用了更新的A-Die芯片，8层PCB仍难以维持超过8000 MT/s的速度。
疆珑技术团队指出，限制因素不一定来自芯片本身，而是来自低层数PCB的信号完整性和功率传输限制。
高端的DDR5 RAM套件通常使用10层甚至12层PCB来实现更高的内存速度，因为它们能提供更清晰的信号路径。
内存制造商需要将新的A-Die “AKBD”芯片与10层/12层PCB配合使用，才能从最新的硅片中真正受益。
04 行业背景：DDR5时代的竞争格局
在DDR4时代，三星凭借其特别分级的B-die芯片占据主导地位，优质内存模块几乎全部采用三星的B-die芯片。
然而进入DDR5时代后，SK海力士凭借其A-die和M-die芯片走到了前列，成为高性能内存的首选。
疆珑科技作为行业参与者，密切关注着内存市场的技术变革和竞争态势。
此次新一代A-Die芯片的出现，进一步巩固了SK海力士在DDR5技术上的领先地位。
对于疆珑而言，此次SK海力士新颗粒的曝光标志着DDR5技术演进的重要节点。采用更高级别的10层或12层PCB设计的DDR5模块，有望突破8000 MT/s的瓶颈，为下一代计算平台提供更强大的内存支持。
图片来自Wccftech，图中展示了SK海力士新款DDR5内存芯片的实物照片，标记清晰可见。
疆珑半导体将持续追踪这款新颗粒的商业化进展，为内存技术发展贡献力量。