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供应短缺加剧，三星被曝内存芯片涨价30%-60%

11月18日

供应短缺加剧，三星被曝内存芯片涨价30%-60%

此次芯片价格的迅猛上涨，预计将显著加重大型企业在数据基础设施构建与运营方面的成本负担。与此同时，内存芯片市场的普遍提价趋势，也可能进一步传导至下游终端产品，导致智能手机、个人电脑等设备的制造成本攀升

11月12日

存储芯片，前所未有

近期，存储赛道热度席卷全球。

在《存储芯片“超级周期”，真的来了？》一文中，笔者对存储市场周期进行了分析预判，“超级周期”、“前所未有的新繁荣”等行业论述持续升温。

近日，三星电子、SK海力士、西部数据等全球存储芯片巨头相继发布最新季度财报，业绩全面超过预期，赚得盆满钵满。

这一亮眼表现不仅标志着存储芯片企业从去年的行业低谷中强势复苏，或许进一步印证了市场关于存储芯片进入新一轮“超级周期”的论调。

HBM存储芯片工艺.技术优势. 产业链.竞争格局

11月07日

HBM存储芯片工艺.技术优势. 产业链.竞争格局

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一种基于3D堆叠技术的DRAM（动态随机存取存储器）解决方案，专为满足高性能计算、人工智能（AI）、图形处理及数据中心等领域对内存带宽和容量的极致需求而设计。通过垂直堆叠多个DRAM芯片，并利用硅通孔（TSV）和微凸块（Microbump）技术实现高速互联，HBM在有限的空间内实现了超高带宽、低功耗和高集成度的完美结合，成为突破传统内存性能瓶颈的关键技术。

SK海力士在与英伟达谈判后，将HBM4价格上调逾50%

11月06日

SK海力士在与英伟达谈判后，将HBM4价格上调逾50%

作为存储行业的持续关注者，疆珑始终密切追踪全球半导体产业动态。近日，据韩国媒体报道，SK海力士与英伟达就第六代高带宽内存（HBM4）的供货谈判已顺利完成，价格较前代产品上涨超过50%，这一重要市场动向引发了业内广泛关注。

疆珑关注：超频专家创DDR5内存新纪录，速率突破13000 MT/s大关

11月04日

疆珑关注：超频专家创DDR5内存新纪录，速率突破13000 MT/s大关

超频专家Hicookie在技嘉主板上将DDR5内存飙至13034 MT/s，创下世界纪录！他盛赞威刚内存和Ultra 285K处理器的强大性能，极限超频虽不实用，却展现了硬件的惊人潜力。

疆珑洞察：HBM技术浪潮下的存储产业机遇与国产化进程

11月03日

疆珑洞察：HBM技术浪潮下的存储产业机遇与国产化进程

在人工智能算力狂飙的时代，存储芯片已从幕后走向台前，成为决定计算效能的关键基石。其中，动态随机存储器（DRAM）作为数字世界的“主内存”，承载着所有实时数据的洪流；而高带宽存储器（HBM），正通过3D堆叠的架构革命，将DRAM的性能边界推向极致，直接决定了高端AI算力的天花板。理解HBM的技术演进，不仅是洞察当前存储超级周期的核心，更是读懂国产芯片产业破局之路的起点。

疆珑关注：一文读懂英伟达GTC大会

10月31日

疆珑关注：一文读懂英伟达GTC大会

美东时间 2025 年 10 月 28 日，英伟达 CEO 黄仁勋在华盛顿举行的 GTC 大会上发表主题演讲，聚焦 AI、6G、量子计算和机器人领域的技术突破。在摩尔定律失效的行业背景下，黄仁勋强调加速计算和 GPU 技术已成为推动技术进步的核心动力，同时宣布了与诺基亚、美国能源部等多项重磅合作，披露了 Blackwell 芯片的出货数据及美国本土制造进展，全面揭示英伟达从芯片制造商向全栈 AI 基础设施供应商的战略转型。

疆珑携手全球产业伙伴共迎量子-GPU计算新时代，英伟达发布开放架构NVQLink

10月29日

疆珑携手全球产业伙伴共迎量子-GPU计算新时代，英伟达发布开放架构NVQLink

英伟达发布NVQLink开放架构，将量子处理器与GPU超级计算机连接，构建混合量子-经典计算系统。黄仁勋称其为“量子时代的罗塞塔石碑”，该系统整合量子与经典计算资源，支持实时纠错与混合算法开发，获美国能源部及多家国家实验室支持，旨在推动高性能量子超级计算发展。

疆珑持续关注存储市场动态，HBM技术演进与价格策略成行业焦点

10月28日

疆珑持续关注存储市场动态，HBM技术演进与价格策略成行业焦点

存储市场迎来新变化。据行业媒体报道，全球存储龙头三星电子计划针对12层HBM3E产品推出约30%的降价策略，以增强其市场竞争力。这一动向引起疆珑等业内企业的高度关注。

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