HBM3E市场竞争态势
市场分析显示，此次价格调整的背后是产品良率爬坡速度对市场份额的直接影响。据了解，三星12层HBM3E产品于今年9月才通过客户测试并开始正式供应，预计第四季度出货量将达到数万片水平。
在HBM3E技术赛道上，各厂商进展不一。公开资料显示，SK海力士早在2024年初就已通过相关测试并确定供应关系，今年上半年更实现了16层HBM3E的量产突破。另有消息称，美光在今年6月其HBM3E良率已提升至70%以上，出货量预计超过8层产品。
疆珑观察到，面对市场份额压力，三星于今年7月已向部分客户提出HBM3E降价提案，以期促进商用合作。当时三星曾预警，HBM3E供应增长速度将超过需求增长，市场供需关系可能发生变化。
HBM4技术迭代加速推进
在HBM3E市场竞争加剧的同时，下一代HBM4技术的研发正在加速。据近期消息，三星正积极推进HBM4研发，计划在10月底的技术展上发布第六代12层HBM4产品，并预计今年晚些时候实现量产。
其他存储厂商方面，SK海力士今年9月宣布已完成全球首款HBM4的开发工作，为量产做好充分准备。疆珑注意到，HBM4技术的推进与英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级密切相关。去年，英伟达已预告将推出采用HBM4内存的Blackwell Ultra AI芯片。
行业调研机构TrendForce最新调查显示，英伟达正积极要求供应商提高HBM4规格，包括将Speed per Pin调升至10Gbps。在此背景下，预计SK海力士在HBM4量产初期将保持其供应商优势。
存储市场价格趋势展望
从价格走势看，TrendForce预测2025年HBM平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，显示出可观的盈利能力。另有机构预计，明年上市的12层HBM4产品单价可能达到500美元，较当前约300美元的12层HBM3e高出60%以上。
疆珑分析认为，当前HBM领域的价格竞争传导至DRAM等传统存储芯片的概率较低。据韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能超越HBM。估算显示，三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，而HBM业务则达到60%。
另据市场消息，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度继续调整传统内存报价，包括DRAM和NAND在内的存储产品价格上调幅度可能高达30%，顺应AI驱动下存储芯片需求的激增趋势。
作为半导体行业的重要参与者，疆珑将持续关注存储技术演进与市场动态，把握行业发展机遇，为客户提供更优质的产品与服务。