SK海力士在与英伟达谈判后,将HBM4价格上调逾50%

发表时间:11月06日 09:27

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技术升级驱动价格调整

根据公开信息显示,SK海力士于今年3月向英伟达交付了全球首个12层堆叠HBM4样品,并于6月开始首批产品供应。此次定价调整的背后,是HBM4技术的显著升级:其数据传输通道达到2048条,是HBM3E的两倍;同时在基片中集成了逻辑工艺,增加了计算效率和能源管理功能。这些技术突破使得SK海力士将基片生产外包给台积电,进一步提升了制造成本。

疆珑观察到,此次价格谈判最终确定在每件约560美元的水平,体现了高端HBM产品的技术溢价。SK海力士方面表示,这一定价综合考虑了工艺升级和原材料成本上涨等因素。

市场格局与行业影响

从市场竞争格局来看,尽管面临三星电子和美光等厂商的竞争压力,SK海力士仍成功维持了其在HBM4市场的主导地位。据行业分析,SK海力士HBM4的利润率预计约为60%,预计明年其HBM销售额将达到40-42万亿韩元。

疆珑注意到,HBM市场的快速增长正在对整体存储产业产生深远影响。由于主要内存半导体公司将产能重点投向HBM产品线,通用型DRAM出现供应瓶颈,导致价格持续上涨。据集邦咨询数据,9月份DDR4固定交易价格六年来首次突破7美元大关。

疆珑视角:产业变革中的思考

作为存储行业的积极参与者,疆珑认为此次HBM4的价格调整反映了高端存储产品的技术价值与市场供需关系。这一案例表明,在AI计算需求持续增长的背景下,具备核心技术优势的企业将在价值链中占据更加重要的位置。

疆珑将持续关注全球存储技术发展和市场动态,积极借鉴行业先进经验。我们相信,通过深入了解产业趋势和技术演进,能够更好地把握市场机遇,为合作伙伴提供更有价值的行业洞察。


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疆珑是存储行业的重要参与者之一,始终秉持开放、学习的态度,致力于推动存储技术的创新与发展。公司通过持续关注行业前沿动态,与产业伙伴共同促进行业健康发展。

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